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    Titel :

    Conductivity of high-temperature annealed silicon direct wafer bonds


    Beteiligte:
    Schjølberg-Henriksen, K. (Autor:in) / Tvedt, L. G. (Autor:in) / Gjelstad, S. A. (Autor:in) / Mørk, C. (Autor:in) / Moe, S. T. (Autor:in) / Imenes, K. (Autor:in) / Poppe, E. (Autor:in) / Wang, D. T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MICROSYSTEM TECHNOLOGIES ; 21 , 5 ; 979-985


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2015


    Format / Umfang :

    7 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    629.83



    Visible electroluminescence from pulsed-laser-annealed a-Si:H/a-SiN~x:H superlattices on silicon wafer [3278-42]

    Wang, M. / Huang, X. / Li, W. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    Metal-silicon carbide bonds for elevated temperature application

    Godziemba-Maliszewski,J. / Lison,R. / Kernforschungsanlage Juelich,DE | Kraftfahrwesen | 1986




    Silicon wafer transport device and silicon wafer transport vehicle

    HU YICHAO | Europäisches Patentamt | 2024

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