We report room-temperature photoluminescence from a Nd/sup 3+/ -doped AlGaAs semiconductor. Oxidation of the AlGaAs greatly improves the luminescence efficiency of the Nd/sup 3+/ ions.


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    Titel :

    Photoluminescence from a Nd/sup 3+/-doped AIGaAs semiconductor structure


    Beteiligte:
    Ullmann, K. (Autor:in) / Su, M. (Autor:in) / Silverman, K.L. (Autor:in) / Berry, J.J. (Autor:in) / Harvey, T.E. (Autor:in) / Mirin, R.P. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    75241 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch