We demonstrate experimentally optical bistability inside a two-bus ring resonator fabricated in silicon-on-insulator with a power of only 680 /spl mu/W. We have analysed the different contributions leading to this bistable behaviour and show that the dominant nonlinear effects are free carrier based.


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    Titel :

    Optical bistability analysis inside a two-bus ring resonator


    Beteiligte:
    Priem, G. (Autor:in) / Dumon, P. (Autor:in) / Bogaerts, W. (Autor:in) / Van Thourhout, D. (Autor:in) / Morthier, G. (Autor:in) / Baets, R. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    144940 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Optical Bistability Analysis inside a Two-Bus Ring Resonator

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005



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    Grieco, A. / Slutsky, B. / Tan, D.T.H. et al. | British Library Online Contents | 2012


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    Peschel, U. / Michaelis, D. / Peschel, T. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995