We present a systematic study on realising low-threshold, long-wavelength lasers based on simplemost InGaAsN/GaAs SWQ structures grown on GaAs by plasma-assisted MBE. Record-low threshold current densities up to 1430 nm are reported.


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    Titel :

    Record-low thresholds of InGaAsN/GaAs SQWs lasers


    Beteiligte:
    Averbeck, R. (Autor:in) / Jaschke, G. (Autor:in) / Geelhaar, L. (Autor:in) / Riechert, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    171962 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Record-Low Thresholds of Long-Wavelength InGaAsN/GaAs SQWs Lasers

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2004


    InGaAsN/GaAs lasers fabricated with pulsed anodic oxides

    Chongyang Liu, / Wah, R.T.J. / Shu Yuan, et al. | IEEE | 2003


    InGaAsN/GaAs lasers fabricated with pulsed anodic oxides

    Chongyang Liu, / Wah, R.T.J. / Shu Yuan, et al. | IEEE | 2003


    Optical quality of InGaAsN/GaAs [4078-03]

    Robinson, B. J. / Yuan, L. / Thompson, D. A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000