Improved trench N-channel power MOSFETs from STMicroelectronics are tailored for rugged FBSOA applications where high-power levels in high drain-source voltage (VDS) drop are required. This advanced trench technology provides an outstanding performance in terms of high VDS and drain current (ID) working conditions; high surge current capability; linear mode operation robustness; low on-resistance $(\mathbf{R}_{\mathbf{DSon}})$ in fully on-condition.


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    Titel :

    Wide SOA MOSFET technology for hot swap and inrush current limiter solutions


    Beteiligte:


    Erscheinungsdatum :

    17.11.2021


    Format / Umfang :

    2074011 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



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