In this paper, the detailed characterization of the MBE grown GaN/sub y/As/sub 1-x-y/Bi/sub x/ layers are reported. The quantitative effect of Bi and N incorporations on the PL peak energies and the temperature coefficients of the PL peak energies of GaN/sub y/As/sub 1-x-y/Bi/sub x/ with various GaBi molar fractions are discussed.


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    Titel :

    GaN/sub y/As/sub 1-x-y/Bi/sub x/ semiconductor alloy for temperature-insensitive-wavelength lasers in WDM optical communication


    Beteiligte:
    Oe, K. (Autor:in) / Gan Feng, (Autor:in) / Yoshimoto, M. (Autor:in) / Wei Huang, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    1539233 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    GaN~yAs~1~-~x~-~yBi~x Semiconductor Alloy for Temperature- Insensitive- Wavelength Lasers in WDM Optical Communication

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005




    A temperature-insensitive InGaAsP/InP wavelength filter

    Tanobe, H. / Kondo, Y. / Kadota, Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996