Phenomenological study of radiation damage and recoverability of metal oxide field effect transistors


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    Titel :

    Phenomenological study of radiation damage and recovery of metal-oxide field effect transistors


    Beteiligte:

    Kongress:

    IEEE ANN. CONF. ON NUCL. AND SPACE RADIATION EFFECTS ; 1966 ; PALO ALTO, CA, UNITED STATES


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1966


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Phenomenological study of radiation damage and recovery of metal-oxide field effect transistors

    Desai, U. D. / Van Allen, R. L. / Wolfgang, J. L., Jr. | NTRS | 1967



    Radiation Damage In Advanced Bipolar Transistors

    Zoutendyk, John A. / Goben, Charles A. / Berndt, Dale F. | NTRS | 1989


    Light Induced Recovery of Polymer Field Effect Transistors

    Lloyd-Hughes, J. / Richards, T. / Castro-Camus, E. et al. | IEEE | 2006