CADAT field-effect transistor simulator (FETSIM) analyzes dc and transient behavior of metal-oxide-semiconductor (MOS) circuits. Both N-MOS and P-MOS transistor configurations in either bulk of silicon-on-sapphire (SOS) technology and almost any combination of R/C elements are analyzed.


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    Titel :

    CADAT field-effect-transistor simulator


    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1981



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :



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