Potentially narrow margins of chirality-based chopping of magnetic stripes avoided. Half-state readout is experimental method of readout in Vertical-Bloch-Line (VBL) memory. Based on differential deflections of magnetic stripe domains in which data bits stored. To give meaning to explanation of half-state readout, see "Vertical-Bloch-Line Memory" (NPO-18467).


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Half-State Readout In Vertical-Bloch-Line Memory


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.02.1994



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch





    Vertical-Bloch-Line Memory

    Katti, Romney R. / Wu, Jiin-Chuan / Stadler, Henry L. | NTRS | 1993


    Three-Dimensional Vertical-Bloch-Line Memory System

    Katti, Romney R. / Wu, Jiin-Chuan / Stadler, Henry L. | NTRS | 1994