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    Titel :

    FA2-6 High-power GaN-HEMT Devices Operating at MM-wave Frequencies


    Beteiligte:

    Kongress:

    30th, International conference on infrared and millimeter waves; IRMMW-THz 2005 ; 2005 ; Williamsburg, VA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Includes bibliographical references and index



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





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