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    Titel :

    Electroabsorption Effects In In/sub0.53/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As Symmetric Coupled Dolible Quantum-wells


    Beteiligte:
    Cheng, A. (Autor:in) / Yu, P.K.L. (Autor:in) / Wieder, H.H. (Autor:in) / Chang, W.S.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1990


    Format / Umfang :

    78990 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch





    Improved lateral wet-oxidation of In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As

    Jizhi Zhang / Couse, D. / Zhu, Z.-H. et al. | IEEE | 1998


    Electroabsorption In Extremely Shallow Quantum Wells

    Goossen, K.W. / Cunningham, J.E. / Jan, W.Y. et al. | IEEE | 1990


    Breakdown characteristics of In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As-InP heterojunction APDs

    Oh-Hyun Kwon, / Grine, A. / Haji, A. et al. | IEEE | 2004